特色硅压力传感器

当半导体硅材料受力时，原子晶格发生变化。
即，格子的间距发生变化。 然后硅材料的载流子迁移率发生变化。
变化，浓度变化。 载流子的横向分布结构和纵向分布被扰乱。
材料的分布结构最终导致材料的电阻率发生变化。 以上是一半
导体硅材料的压阻效应详解。

一种应用也比较广泛的压力传感器，即电阻应变传感器。 与压阻式压力传感器相比，两者的工作过程或工作原理有本质区别。

半导体硅压阻式压力传感器的压阻效应与金属应变片的应变效应
两者的区别应该是：前者的输出功率，即电阻值的变化主要取决于材料。
材料电阻率的变化。 后者的输出功率，即电阻值的变化取决于
材料几何形状的变化（应变。

半导体硅材料的灵敏度高，其灵敏度是金属应变片的50～100倍。

1954年，史密斯致力于研究半导体硅材料的压阻效应。 同时，他用它来制作压力传感器。

早期研究的硅压力传感器类似于半导体应变片。 经过开发研究，在N型硅片上通过扩散或离子注入的方式掺杂P型杂质。 阻力条是定制的。 在电阻条后面配接合适的桥接电路，制成集成芯片。

它与电阻应变片的使用相同。 芯片不能单独使用完成测量工作。 它还需要牢固地附着在弹性元件上，以感应被测压力的变化。

扩散硅压阻式压力传感器是指采用上述芯片作为敏感元件制成的传感器。